1月26日，英特尔公司宣布在基础晶体管设计方面取得了一个最重大的突破，采用两种完全不同以往的晶体管材料来构建45纳米晶体管的绝缘“墙”和切换“门”。在下一代英特尔®酷睿™2双核、英特尔®酷睿™2四核以及英特尔®至强®系列多核处理器中，将置入数以亿计的这种微观晶体管或开关。

    英特尔公司同期宣布已有五种早期版本的产品正在运行，这是公司计划中的15款45纳米处理器产品的第一批。在台式机、笔记本和服务器领域，晶体管技术的提升使得公司能够继续创造出处理器计算速度的全新纪录；同时会减少晶体管的漏电量。这种漏电会影响芯片和PC的设计、规格、功耗、噪音以及成本。同时，这一突破也会保证摩尔定律在下一个十年继续有效。

    摩尔定律是高科技产业的基本规律，即晶体管数量每两年翻一番。英特尔公司相信，生产出新一代45纳米系列产品（研发代码为Penryn）中的首批可工作45纳米处理器，标志着英特尔在半导体产业领先至少一年。面向五大不同计算机细分市场的早期45纳米处理器版本，正在运行indows*Vista*,MacOSX*,Windows*XP和Linux等操作系统以及其它应用程序。英特尔按计划将在2007年下半年交付投产45纳米处理器。

    英特尔在45纳米晶体管中创造性地采用全新高-k栅介质和金属栅极材料英特尔率先将新材料创新性地组合，在其45纳米制程技术方面极大地减少了晶体管漏电量，同时提高处理器性能。英特尔将采用专有的新型高-k介质材料作为晶体管栅介质，同时采用新型金属材料组合作为晶体管栅电极。“采用高-k栅介质和金属栅极材料，是自上世纪60年代晚期推出多晶硅栅极金属氧化物半导体（MOS）晶体管以来，晶体管技术领域里最重大的突破，”英特尔公司联合创始人戈登•摩尔（GordonMoore）指出。

    晶体管是处理数字世界0、1组合的微型开关。栅用来打开或闭合晶体管，而栅介质是用来将栅从电流通道隔离出来的绝缘体底层。金属栅极和高-k栅介质的组合使晶体管漏电量非常低，性能大为提升。“随着越来越多的晶体管被集成到一个硅晶片上，业界一直在研究电流泄露问题的解决方案，”英特尔高级院士MarkBohr指出：“我们的工程师和设计人员已经取得了重大突破，确保了英特尔在产品和创新方面的领导地位。

    我们在45纳米制程技术方面采用了新型高-k栅介质和金属栅极晶体管，将帮助英特尔公司针对我们已经成功推出的英特尔酷睿2和至强系列处理器，推出速度更快、能效更高的多核产品，并使摩尔定律在下一个十年继续发扬光大。”